技术参数

晶圆尺寸：8英寸

工艺类型：应用于Poly、Nitride、TEOS工艺
多晶硅（Poly）:作为栅极和虚设栅极（Dummy Gate）
氮化硅（Nitride）:用做硅片最终的钝化保护层、掩膜工艺和浅槽隔离工艺
二氧化硅（TEOS）：应用于绝缘膜、浅槽隔离的填充物

适用材料：硅

应用领域：功率半导体、集成电路、科研